原理图检查和组织 该阶段可以是

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包弹出（业内称为“工具库”） 拖延 影像学 注解 示意图分析与关联 设备库 仓库是该过程的主要进步，仍然遵循通常的技术。通常，使用破坏性腐蚀溶液蚀刻封装。根据特定包装的结构和尺寸，在不同温度下使用不同类型的酸。这些设置会溶解包装中的内容，但不会破坏芯片。 拖延 当今的半导体器件范围从 1.0 μm 单金属双极芯片、0.35 μm BiCMOS (BCDMOS) 扩散 MOS 芯片到 45 nm 12 金属微芯片，以及介于两者之间的所有产品。铝和铜都可以用作类似芯片上的金属。


根据工艺的年限，多晶硅栅极和源极/沟道可以 比特币数据库美国 使用不同的硅化物。 延迟实验室必须在每个金属层和多晶硅晶体管的栅极层制作器件的单独样本。在这种能力下，他必须依次精确地去除每一层，并保持平坦的表面。这就需要逐点公式来消除每一层。这些公式结合了多种策略，例如等离子（干）蚀刻、湿蚀刻和清洁。 影像学 RE 实验室目前使用两种类型的成像：光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM)。对于 0.25 µm 的半导体芯片，光学成像已足够。然而，SEM 必须用于 0.18 µm 才能确定最小峰。使用专门创建的编程软件来排列大量的图片。 注解 一调整，真正的工作就开始将电路重新组装在一起。完整的电路提取需要查看所有晶体管、二极管、电容器和各个段、所有互连组以及所有触点和通孔。这可以通过物理方式或通过使用自动化来完成。 原理图检查和创建 注释过程可能会引入错误。之后，应在此阶段进行检查。设计规则检查可以发现许多问题，例如

，测量不足的亮点或空间、悬挂电线、无线过孔等。真正的迭代，并使用许多可供小部件访问的开放数据源，例如数据显示、数据表、白皮书或许可证。例如，如果有框图，这些可以帮助原理图组合。它们可以帮助理解电路模型和结构。使用芯片设计技术也应该可以进行检查。可以使用晶体管级和程序手动研究电路。设计结构通常很突出，例如差分集、带隙基准的双极器件等。 尽管如此，逐点提取过程的有用性将取决于其框架条件。当上述方法一起使用时，效果会非常令人难以置信。创新的不断进步使得使用这些通过成像驱动程序的方法来显示改进的迹象成为可能。 最近，瑞士的一组专家使用 3D X 束技术对 IC 进行轻松逆向工程，以发现处理器内神秘